fowler nordheim tunneling 原理
F-N穿隧與直接穿隧最不同之處就在於會隨著元件的操作電壓上升，而使.穿隧發生的機率上升。我們使用TCAD模擬軟體，利用閘極電壓將電子充進氮化層後，再將所有的偏壓歸零 ...,,半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunnelingeffect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件...
工學院專班半導體材料與製程設備學程
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由陳郁如著作·2004—紅外光的範圍[7]。2.3NBit記憶體元件發光機制原理.2.3.1FN穿隧（Fowler-Nordheimtunneling）機制之原理.Fowler-Nordheim穿隧機制，實際上，是一個電場輔助電子 ...
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